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SI500型感应耦合等离子（ICP）刻蚀系统可用于广泛的等离子刻蚀加工, (1)刻蚀出线宽为 0.13μm 陡直的 SiO2 窗口图形, (2)刻蚀出线宽为 0.15μm 陡直的 Si 窗口图形
样品表面形貌测试仪器, 15kV加速电压下1.6nm的分辨率, 更保证1kV加速电压下5nm的分辨率
主要用于光刻曝光使用
用于 Ti、Pt、Au、Ni、AuGe等金属的溅射镀膜。
主要用于在III-V族材料基底上沉积介质膜、如SiO2、SiNx等
科研教学,质量检测,对外测试服务。
主要用于光刻曝光使用
光荧光谱mapping测量，用于外延片光学均匀性表征。
电化学CV是测量半导体材料的载流子浓度与深度关系的理想仪器；光电压谱则能提供化学组分的测量，例如AlGaAs中铝的组分。
科研教学,质量检测,对外测试服务。