高功率半导体激光国家重点实验室成立于1997年，由原国防科工委和原兵器工业总公司投资建设，经过二十年的发展建设，实验室已经成为我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。现有科研、办公面积3800平方米，超净实验室面积为1500平方米；生产开发平台面积为600平方米，其中超净实验室面积为200平方米。

现有博士学位授权一级学科2个、硕士学位授权一级学科2个、国防特色学科1个、博士后科研流动站1个。实验室有研究人员40人，其中教授12人、副教授12人，中级16人，博士生导师12人，吉林省长白山学者1人。实验室现有 MBE、MOCVD 等先进的半导体材料外延生长设备， SEM、XRD 、PL等完善的材料分析检测手段，电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备，设备资产1亿元，为光电子领域的相关研究提供了一流的条件支撑。

实验室主要围绕高功率半导体激光开展基础性、前沿性、探索性研究工作，共有以下四个研究方向：

（1）高功率半导体激光器有源材料及其物性分析

（2）高功率半导体激光器件及其模型优化设计研究

（3）高功率半导体激光器件工艺及评价方法研究

（4）高功率半导体激光器输出特性及测试研究

在半导体激光研究方向上，高功率半导体激光国家重点实验室代表着国家水平，在基础研究领域，深入开展了GaSb材料的外延生长理论及技术研究，研究成果达到国际先进水平；“十三五”期间实验室共承担高功率半导体激光方面的研究课题86项，发表学术论文224篇，获授权发明专利40余项。