仪器名称：等离子体增强化学气相沉积系统

仪器编号：（SI500，德国SENTECH），[2A]

仪器简介：

用途：
主要用于在III-V族材料基底上沉积介质膜、如SiO2、SiNx等
主要技术参数：
1底电极温度范围+20°C ～ +350°C，温度控制精度优于±2°C。
2射频发生器，频率13.56MHz，功率≧500W。
3基础真空：< 1 × 10-5 mbar
4七路工艺气体：SiH4，N2O，O2，CF4，Ar，N2，NH3
5工艺程序自动运行，也可人工干预，手动进行参数设置和程序进程控制。

参考工艺结果：
(1)SiO2沉积：
最大厚度： 500 nm，沉积速率：≥10-20nm/min，温度：室温-300℃
(2)氮化硅沉积：
最大厚度：> 3 μm，沉积速率：9 nm-40 nm/min，温度：室温-350℃