职 称：研究员
研究方向：光电子技术与应用
通讯地址： 长春市卫星路7089号理工科技大厦A-307
邮政编码：130022
教育经历
1996.9-2000.6，大学本科毕业于长春光机学院获学士学位；
2002.9-2005.4，长春理工大学获硕士学位；
2006.9-2011.6，长春理工大学获博士学位；
科研工作
承担国家自然科学基金、总装预研基金、吉林省科技厅自然基金，吉林省重点项目、吉林省科技厅项目、吉林省发改委项目，省教育厅基础研究项目等10余项。参与总装“十二五”预研基金、重点基金、国家自然科学基金项目等13项。
主持的科研项目：
1.国家自然科学基金-面上项目“3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究”；
2.吉林省自然科学基金“锑化物W型量子阱材料及其在中红外激光器中的应用研究”；
3.吉林省科技厅重大科技招标专项“大气污染气体激光检测系统的研制”；
4.吉林省发改委“高功率锑化物量子阱激光器泵浦光源研究”；
5.吉林省教育厅十二五科学技术研究项目“P型Cu2O薄膜的δ惨杂及其异质结光伏特性研究”；
6.吉林省科技厅-青年科研基金项目“Si量子点敏化ZnO/P3HT复合材料太阳能电池”；
7.吉林省教育厅科学技术研究十二五规划课题“低维ZnO合金材料的制备及光学特性研究”；
8.吉林省科技厅项目“Si掺杂类金刚石膜的研究”。
论文专利
论文格式：论文名称、发表日期、刊物名称、刊物类别、分区（无可不填写）、影响因子（无可不填写）
1.Structural and spectroscopy characterization of coaxial GaAs/GaAsSb/GaAs single quantum well nanowires fabricated by molecular beam epitaxy、2019、CrystEngComm、SCI二区；
2.GaAs纳米线晶体结构及光学特性、2019、物理学报、SCI四区；
3.Optical properties of quasi-type-II structure in GaAs/GaAsSb/GaAs coaxial single quantum-well nanowires、2018、Appl. Phys. Lett.、SCI二区；
4.Optical properties improvement of GaSb epilayers through defects compensation via doping、2018、Journal of Luminescence、SCI二区；
5.Facile synthesis via a solvent molecular template and formation mechanism of uniform zinc antimony nanorods、2018、Journal of Materials Science: Materials in Electronics、SCI三区；
6.The optical property improvement of GaAs via surface passivation and carriers restriction of MgO film、2018、FERROELECTRICS、SCI四区；
7.High density GaAs nanowire arrays through substrate processing engineering、2018、Materials Research Express、SCI四区；
8.Determination of band offset in MgO/InP heterostructure by X-ray photoelectron spectroscopy、2016、 Vacuum、SCI三区；
9.Synthesis and Characterization of ZnO/Ag-Doped ZnO Core–Shell Nanowires、2015、 Nanoscience and Nanotechnology Letters、SCI三区；
10.Surface Periodic Nanostructure of p-GaSb Irradiated by Femtosecond Laser and Optical Properties Research、2015、 Nanoscience and Nanotechnology Letters、SCI三区；
11.Optical Properties of Arsenic-Doped MgZnO Films、2015、Nanoscience and Nanotechnology Letters、、SCI三区；
12.以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn1-xO纳米纤维及其光学性质研究、2014、光谱学与光谱分析、SCI四区；
13.The fabrication of InP nanoporous structure and optical property of sulfur passivated、2016、Taylor & Francis Group、EI；
14.Progress on preparation of InAs nanowires by molecular beam epitaxy、2015、CFMTIF、EI；
15.The structural and optical properties of Be-doped GaAs grown by MBE、2015、Advanced Materials Research、EI；
16.The electrical characteristics of GaAs-MgO interfaces of GaAs MIS Schottky diodes、2015、Advanced Materials Research、EI；
17.The surface and photoluminescence properties of GaAs passivated by wet chemical method、2015、Advanced Materials Research、EI；
1.Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器、国家发明专利、2017.7.4、201510111618.X
2.用分子束外延(MBE)在Gasb衬底上无催化制备Gasb纳米线的方法、国家发明专利、2019.4.30、CN105019027B