高功率半导体激光国家重点实验室-长春理工大学
日期:
方铉
2019-05-16 浏览:

姓名:方铉

性别:男

职称/职务:研究员/半导体材料研究室主任

电子邮箱:fangx@cust.edu.cn

通讯地址:长春理工大学南校区科技大厦B609

 

学习及工作经历:

20183-20237月      中国科学技术大学       博士后

20195-20205      香港中文大学           访问学者

20109-20157月      长春理工大学           博士

20069-20094月      长春理工大学            硕士学位

20029-20066月      长春理工大学           学士学位

 

学术兼职:

20221-至今  《RareMetals》青年编委

20236-至今  吉林省物理学会电子显微镜分会副理事长

20231-至今  中国材料研究学会智能传感功能材料与器件分会第一届委员会委员

20221-至今  湖南科莱特光电有限公司光谱分析技术顾问

 

主要荣誉:

2020年长春理工大学“大珩青年学者” 

 

获奖情况:(注意脱密)

1) 2023年中国产学研合作创新奖(个人)

2) 2023年中国有色金属工业科学技术三等奖—“低维III-V族红外材料开发及探测器应用,第5

3) 2023年吉林省科学技术进步二等奖—“高性能大功率面发射半导体激光技术及应用开发,第7

4) 2021年吉林省科学技术进步一等奖—“中长波半导体激光芯片关键技术及应用开发,第12

5) 2017年吉林省自然科学学术成果二等奖—“束缚态载流子增强型 ZnO 纳米结构紫外探测器特性研究,第1

6) 2017年中国仪器仪表学会金国藩青年学子奖

7) 2017年吉林省自然科学三等奖—“宽带隙半导体纳米结构的载流子调控及其光电特性应用研究,第2

8) 2015年吉林省科学技术进步三等奖—“工业双波长全固态激光清洗系统开发,第4

9) 2014年吉林省自然科学学术成果二等奖—“单根银掺杂氧化锌微米带的光电特性研究,第3

10) 2014年吉林省自然科学学术成果三等奖—“原子层沉积制备 ZnO 材料及性质研究,第1

11) 2014年吉林省自然科学学术成果三等奖—“GaSb 基材料表面钝化及其光谱分析,第11

12) 2012年吉林省科学技术进步三等奖—“柔性衬底上生长的 ZnO 纳米结构及其葡萄糖生物传感技术,第3

13) 2011年吉林省自然科学学术成果三等奖—“ZnO 纳米结构的 p 型掺杂及结型器件制备,第1

 

代表性科研项目:(注意脱密)

1) 中红外波段 InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y  II型超晶格材料与激光器件研究,2021.01- 2024.12(在研),国家自然科学基金委,主持   

2) 氧化锌纳米结构中束缚态激子调控与光电性质研究,2019.05- 2020.05,中国博士后科 学基金会,主持

3) JKW 基础加强项目课题负责人2023.11-2025.11(在研),主持

4) 硅基锑化物半导体关键外延技术与叠腔激光器研究,2021.07- 2024.07(在研),吉林省 科技厅-自然科学基金,主持

5) p Cu2O 薄膜 的 δ 掺杂及其异质结特性研究,2015.01- 2017.12,国家自然科学基金委,主持

6) 硅基 III-V 族半导体光电子材料与微纳器件研究团队,2020.01- 2022.12,吉林省科技厅,主持

7) 3D 打印仿生材料上 ZnO 超薄层制备技术及其生物性能研究,2016.01- 2018.12,吉林省科技厅-青年科研基金项目,主持

8) 宽带隙半导体纳米结构的束缚态激子调控与光电性质研究,2019.10- 2022.09,广东省 基础与应用基础研究基金委员会,主持

9) 窄线宽激光输出的锑化物激光器材料与器件研究,2019.03- 2021.03,深圳市科技创新委员会,主持

10) 超晶格及侧向异质结激光材料制备技术开发,2021.05- 2023.05,产学研合作项目,主持

11) 高性能薄膜结构热电转化材料技术开发,2020.05- 2021.05,产学研合作项目,主持

 

 

发表论文情况

 

序号

论文名称

第一作者

通讯作者

发表年月

刊物/会议名称

期刊影响因子

1

Long Wave Infrared

Emission Properties of Strain-balanced InAs/InxGa1-xAsySb1-y Type-II Superlattice on Different Substrates

Chao Shi

Xuan Fang

2024,1 

Rare Metals

8.8

2

Highly Efficient 1D p-Te/2D n-Bi2Te3 heterojunction self-driven broadband photodetector

Chenchen Zhao

Xuan Fang

2023,5

Nano Research

9.9

3

Self-powered broadband photodetector based on Bi2Se3/GaN pn

mixed-dimensional heterojunction with boosted responsivity

Z. Zeng

Xuan Fang

2023,5

Materials Today Nano

10.3

4

Band offset measurement at the MAPbBr3/Al2O3 heterointerface by X-ray photoelectron spectroscopy

Chenhao Gao

Xuan Fang

2022,11

Journal of Alloys and Compounds

6.2

5

Band structural and absorption characteristics of antimonene/ bismuthene monolayer heterojunction calculated by first-principles

Yanyan Zhan

Xuan Fang

2022.8

Frontiers in Chemistry

5.5

6

InAs/InAsSb type-II superlattice with near room-temperat ure long-wave emission through interface engineering

Bo-Wen Zhang

Xuan Fang

2021.5

Rare Metals

8.8

7

Band and optical properties of arsenene and antimonene lateral heterostructure by first-principles calculations

Weijie Li

Xuan Fang

2021.10

Physica E:Low-dimensi onal Systems and Nanostructures

3.3

8

Mid-and long-infrared emission properties of InxGa1-xAsySb1-y quaternary alloy with Type-II InAs/GaSb superlattice distribution

Peng Du

Xuan Fang

2020.7

Journal of Alloys and Compounds

6.2

9

Continuous wave operation of GaAsBi microdisk lasers at room temperature with large wavelengths ranging from

Xiu Liu,;

Lijuan Wang;

Xuan Fang

Shumin Wang, Zhaoyu Zhang

2019.7

Photonics Research

7.6

10

Fabrication and Characterization of an InAs(Sb) InxGa1-xAsySb1-y Type-II Superlattice

Peng Du

Xuan Fang

2019.9

Physica Status Solidi RRL

2.8

 

 

申请专利情况

 

序号

专利名称

专利权人

专利号

授权公告日

1

利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法

长春理工大学

ZL202111374874.X

2024-3-22

2

二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件

长春理工大学

ZL202011298767.9

2021-02-26

3

一种钙钛矿微型激光器的制备方法

长春理工大学

ZL201811227697.0

2020-07-31

4

中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件

长春理工大学

ZL202011298766.4

2021-11-26

5

一种量子阱雪崩光电二极管

长春理工大学

ZL202110526233.5

2021-08-20

6

一种高响应度的雪崩光电二极管结构

长春理工大学

ZL202110526831.2

2021-08-20