职称/职务：研究员
电子邮箱：whz@cust.edu.cn
通讯地址：长春理工大学南校区科技大厦A座301室
学习及工作经历：
2014年7月-至今 长春理工大学 研究员
2012年7月-2014年7月 清华大学 博士后
2007年9月-2012年6月 吉林大学 博士
2002年9月-2006年6月 北华大学 本科
主要荣誉：
优秀共产党员
代表性科研项目：
大功率高应变半导体激光器件制备技术研究，2021.07-2024.06，吉林省科技厅重点研发项目 项目负责人
宽带宽InAs量子点MOCVD生长调控机理研究，2021.07-2024.06，重庆市自然基金面上项目 项目负责人
机械力诱导碱性物质对POPs硫丹快速降解的机理研究，2018.01-2020.12，机械力诱导碱性物质对POPs硫丹快速降解的机理研究，项目负责人
发表论文情况
序号 |
论文名称 |
第一作者 |
通讯作者 |
发表年月 |
刊物/会议名称 |
期刊影像因子 |
1 |
Study on the influence of variable temperature growth on the properties of highly strained InGaAs/GaAs MQWs grown by MOCVD, Journal of Alloys and Compounds |
王曲惠 |
王海珠 |
2023年 |
Journal of Alloys and Compounds |
6.2 |
2 |
The improvement properties of InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells using the GaAs insertion layer |
刘伟超 |
王海珠 |
2022年 |
Thin Solid Films |
2.1 |
3 |
Effects of growth temperature and rapid thermal annealing on luminescence properties of InGaAs/GaAs multiple quantum wells |
王骄 |
王海珠 |
2022年 |
Journal of Luminescence |
3.599 |
4 |
Effect of localized states on the optical properties in InGaAs/GaAs multiple quantum wells grown by MOCVD |
王骄 |
王海珠 |
2022年 |
Photonics and Nanostructures-Fundamentals and Applications |
1.957 |
5 |
Integrated fabrication of a high strain InGaAs/GaAs quantum well structure under variable temperature and improvement of properties using MOCVD technology |
王曲惠 |
王海珠 |
2021年 |
2.408 |
|
6 |
Effect of GaAs insertion layer on the properties improvement of InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown by metal-organic chemical vapor deposition |
张斌 |
王海珠 |
2021年 |
Journal of Alloys and Compounds |
6.2 |
7 |
The effect of unintentional carbon incorporation on the electrical properties of AlGaAs grown by MOCVD |
何志芳 |
王海珠 |
2020年 |
3.243 |
|
8 |
Tailoring strain and lattice relaxation characteristics in InGaAs/GaAsP multiple quantum wells structure with phosphorus doping |
侯春歌 |
王海珠 |
2019年 |
Journal of Alloys and Compounds |
6.2 |
申请专利情况
序号 |
专利名称 |
专利权人 |
专利号 |
授权公告日 |
一种量子阱结构及其生长方法 |
王海珠、王曲惠、范杰、邹勇刚、马晓辉、石琳琳 |
ZL202010165902.6 |
2021年11月26日 |