高功率半导体激光国家重点实验室-长春理工大学
日期:
范杰
2019-05-17 浏览:

职称/职务:研究员/光电子器件研究室主任

研究方向:光电子器件技术

电子邮箱:fanjie@cust.edu.cn

通讯地址:吉林省长春市卫星路7186号科技大厦A301

 

学习及工作经历

20211-至今         长春理工大学                                 副研究员

20147-202012 长春理工大学                                 助理研究员

20089-201312月  电子科技大学                                 博士

20059-20077月   吉林大学                                     硕士

20019-20057月   吉林大学                                     本科

 

科学研究

围绕新型半导体激光器芯片设计及器件工艺技术开展研究工作。

主持/参与省部级以上项目20项,部分主持项目如下:

1吉林省科技发展计划重点研发项目2021.7-2024.6,主持

2重庆市自然科学基金面上项目2022.08-2025.07,主持

3)长春理工大学青年科学基金项目,2015.12-2017.12主持

 

论文及专利

发表SCIEI论文30余篇,授权国家发明专利3件,部分如下:

1Huilong Hou, Jie Fan*, Xiyao Fu, et al. Near 1050 nm laterally coupled DFB laser with tightened-ridge-waveguide for improving grating coupling capability and controlling lateral modes. Optics Letters, 2025, 50(3): 920-923.

2Jingjing Yang, Jie Fan*, Yonggang Zou, et al. Dual wavelength operation of the tapered laser diode based on composite DBR grating near 1.03μm. Optics Letters, 2022, 47 (9): 2141-2144.

3Zelong Wang, JieFan⁎, Yonggang Zou, et al. Study on mode characteristics of supersymmetric transversally coupled array semiconductor lasers. Optics Communications, 2025, 577: 131425.

4Jing-Jing Yang, Jie Fan*, Yong-Gang Zou, et al. Spatial and spectral filtering of tapered lasers by using tapered distributed Bragg reflector grating. Chinese Physics B, 2022, 31 (8): 084203.

5Sida Mao, Jie Fan*, Yonggang Zou, et al. Effect of two-step post-treatment on optical properties, microstructure, and nanosecond laser damage threshold of HfO2/TiO2/SiO2 multilayer high reflection films, J. Vac. Sci. Technol. A, 2019, 37(6): 061503-1-061503-9.

6Jianing Dong, Jie Fan*, Sida Mao, et al. Effect of annealing on the damage threshold and optical properties of HfO2/Ta2O5/SiO2 high-reflection film, Chinese Optics Letters, 2019, 17(11): 113101-1-113101-6.

7龚春阳, 范杰*, 邹永刚, . 基于金属掩模的全息光刻微纳光栅制备工艺, 中国激光, 2019, 46(12): 1203001-1-1203001-6.(封面文章)

8)一种基于掩埋金属掩膜的脊表面光栅制作方法国家发明专利,ZL202110572045.6

9)一种GaAs/GaN基二维光子晶体材料及其制备方法,国家发明专利,ZL202311520546.5

10一种侧向耦合收束脊波导分布反馈半导体激光器,国家发明专利,ZL202411023872.X