职 称： 副研究员

研究方向：半导体光电子材料物性研究

通讯地址： 科技大厦A307

邮政编码：130022

 

教育经历

2009/09-2014/06，长春理工大学，理学院物理系，博士

2006/09-2009/06，长春理工大学，理学院物理系，硕士

2002/09-2006/06，长春理工大学，理学院物理系，学士

 

科研工作

1.国家自然科学基金青年项目，61504012、氮钝化对GaSb表面态及发光性能影响研究、2016/01–2018/12、18万、主持

2.吉林省科技厅优秀青年人才基金项目，20170520117JH，基于ALD技术的锑化物表面钝化及发光增强机理研究，2017/01–2018/12,8万，主持

通讯作者代表性论文：

1.等离子体氮钝化 ＧａＳｂ材料表面特性研究, 中国激光, 2018.45.1.0103001(1-6)(通讯、EI)

2.氮钝化对 T e掺杂 G a S b材料光学性质的影响, 光子学报, 2018.47.3.0316001(1-5) 通讯、EI)

3.980nm-锥形半导体激光器刻蚀工艺, 光子学报, 2018.47.9.0516006(1-5) 通讯、EI)

4.The formation and characteristics of ZnO/AlN and ZnO/AlN/ZnO core-shell nanowires, Integrated Ferroelectrics, 2016,172,32-39？（通讯、SCI）

5.基于扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究, 光谱学与光谱分析 2015.35.7.1787-1790（通讯、SCI）Photoluminescence Properties of the GaSb Nanostructures Irradiated by Femtosecond Laser, Nanoscience and Nanotechnology Letters, 5, 1-4, 2013. （通讯、SCI）

6.Surface Periodic Nanostructure of p-GaSb Irradiated by Femtosecond Laser and Optical Properties Research, Nanoscience and Nanotechnology Letters, 7, 1-5, 2015. （通讯、SCI）

7.Solar pumped Nd:YAG laser, Optik, 2013,124(18)：3367-3370（通讯、SCI）