仪器名称：金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）

仪器型号：200/4

生产厂家：德国Aixtron公司

仪器安装地点：理工科技大厦A座1楼超净实验室

仪器管理员：王海珠

设备简介：

主要功能：MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

主要技术指标：源的流速控制精度：0.01sccm；温度控制精度：0.1℃；

参考工艺结果：生长获得InGaAs/GaAs量子阱作为有源区的外延片，光致发光峰位于1.06μm处，计算得In元素含量为26%，霍尔测试仪测得AlGaAs限制层载流子浓度为1×10¹⁷cm^-3，扫描电镜测得其厚度为300nm