仪器名称：分子束外延系统

仪器编号：VG-V80

仪器简介：

用途：本系统将主要用于III-V族半导体（包括GaAs、GaSb及其三元四元合金）薄膜、异质结构以及量子结构的外延生长。

主要技术参数：
1 真空度： 主腔室（Growth chamber）：极限真空度（非液氮冷却）<5×10-11 torr；准备室（Buffer chamber）：真空度<3×10-10 torr； 进样室（loadlock chamber）：极限真空度<2×10-8 torr；从大气开始半小时内，真空度<2×10-6 torr。
2  MBE源，12个源安装口，安装8个束源：Ga、Al、In、As、Sb以及Be、 Si、Te 3个掺杂源。
3 衬底加热温度：1000℃
4 配备RHEED，四极质谱仪