高功率半导体激光国家重点实验室-长春理工大学
日期:
郝永芹
2019-05-16 浏览:

职务:工艺平台研究室主任

职称:研究员

研究方向:半导体光电子材料与器件

通讯地址:长春市卫星路7186号

邮政编码:130022


 

教育经历

2000-2003:长春理工大学凝聚态物理专业攻读硕士学位,2003年获理学硕士学位。

2003-2007:长春理工大学物理电子学专业攻读博士学位,2007年获得工学博士学位。

2000-

 

奖励与荣誉称号

1.《高功率垂直腔面发射激光器的设计及制备》,吉林省优秀博士学位论文奖,2009。

2.《XXX面发射激光器技术研究》, 国防工业信息部,国防技术发明奖, 三等奖,2010,第一完成人。

3.《XXX激光器技术研究》,兵器部, 科技进步奖,三等奖,2010, 第一完成人。

4.《基于变相管的半导体激光近远场分布检测仪》, 吉林省科技厅,吉林省科技进步奖, 三等奖,2010,第四完成人。

5.《808nm高功率半导体激光器理论与制备技术》,2014,吉林省自然科学学术成果二等奖,第一完成人。

 

科研工作

1.主持国家自然科学基金项目,研究经费92万元,2015-2018。

2.主持总装预研基金项目,研究经费40万元,2016-2018.

3.主持总装预研基金项目,研究经费30万元,2015-2016.

4.主持完成吉林省自然科学基金项目,2014年底完成项目验收和鉴定,鉴定水平为国内领先。

5.主持完成的总装预研基金项目《×××激光器技术研究》于2010年获得国防技术发明三等奖。

 

论文专利

1.High power single-higher-mode VCSEL with inverted surface relief,红外与毫米波学报, 37(02):168-172,2018, SCI

2.A fundamental mode Nd:GdVO4 laser pumped by a large aperture 808nm VCSEL, Laser Physics Letters, Vol.10, pp.055003-1-3, 2013  SCI

3.Large aperture vertical cavity surface emitting laser with distributed ring contact.Applied Optics, Vol.50(7), pp.1034-1037,2011  SCI

4.High Power 808 nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser with Multi-Ring-Shaped-Aperture Structure,Laser Physics,Vol.21(2), pp.376–378, 2011  SCI

5.808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究, 物理学报, 第60卷, 第6期, 064201.1-064201.5页, 2011  SCI

6.一种基于表面浮雕结构的环形腔面发射半导体激光器, 发明专利,2014.12, 专利号:ZL201110138045

7.大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构, 发明专利,2009.,专利号:ZL200610104150.2,

8.半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法, 发明专利,2009. 专利号:ZL200610104149.X, 2009

9.衬底上分布有导热通道的量子级联激光器,发明专利,2012,专利号:ZL201210179220.6

10.一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,发明专利,2013,专利号:201310413275

11.一种刻蚀散热增强型垂直腔面发射激光器,发明专利,2012,专利号:201110072769

12.表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器,发明专利,2019,专利号:201710627764.7