职称：副研究员

研究方向：半导体光电材料及器件

电子邮箱：zysun@cust.edu.cn

通讯地址：吉林省长春市卫星路7186号科技大厦A座305

教育及主要工作经历

2025年1月-至今       长春理工大学 副研究员

2024年12月-2025年1月    长春理工大学 助理研究员

2023年12月-2024年7月    中国科学院半导体研究所  助理研究员

2020年2月-2023年2月     美国德克萨斯理工大学 博士后

2013年1月-2019年12月    美国德克萨斯理工大学  硕士、博士

2006年9月-2010年6月    浙江大学     本科

科学研究

从事化合物半导体光电材料及器件研究。主要研究方向为中红外半导体级联器件材料、器件设计及工艺。

论文及专利

1）Shen C., Zhan W., Xin K., Li M., Sun Z., Cong H., Xu C., Tang J., Wu Z., Xu B., Wei Z., Xue C., Zhao C., Wang Z., “Machine-learning-assisted and real-time-feedback-controlled growth of InAs/GaAs quantum dots,” Nat Commun 15, 2724 (2024).

2）Manyang Li, Chao Shen, Zhenyu Sun, Bo Xu, Chao Zhao, Zhanguo Wang, “Radiation hardness of semiconductor laser diodes for space communicati

on,” Appl. Phys. Rev. 11, 021315 (2024).

3）C Shen, W K Zhan, M Y Li, Z Y Sun, J Tang, Z F Wu, C Xu, B Xu, C Zhao, and Z G Wang, “Development of in situ characterization techniques in molecular beam epitaxy,” J. Semicond. 45, 031301 (2024).

4）Cheng Kun, Tang Tianyi, Zhan Wenkang, Sun Zhenyu, Xu Bo, Zhao Chao, Wang Zhanguo, “Epitaxial growth of high-quality GaAs on Si(001) using ultrathin buffer layers,” AIP Adv. 14, 035239 (2024)

5）Z. Y. Sun, H. L. Gong, Y. Q. Yan, T. B. Smith, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, “Polarization-resolved Er emission in Er doped GaN bulk crystals,” J. Appl. Phys. 127, 243107 (2020).

6）Z. Y. Sun, Y. Q. Yan, T. B. Smith, W. P. Zhao, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, “Growth and fabrication of GaN/Er:GaN/GaN core-cladding planar waveguides,” Appl. Phys. Lett. 114, 222105 (2019).

7）Z. Y. Sun, Y. Q. Yan, W. P. Zhao, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, “Resonant excitation cross-sections of erbium in freestanding GaN bulk crystals,” Appl. Phys. Lett. 112, 202103 (2018).

8）Z. Y. Sun, L. C. Tung, W. P. Zhao, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, “Excitation and emission mechanisms of Er:GaN gain medium in 1.5 µm region,” Appl. Phys. Lett. 111, 072109 (2017).

9）Z. Y. Sun, J. Li, W. P. Zhao, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, “Toward the realization of erbium-doped GaN bulk crystals as a gain medium for high energy lasers,” Appl. Phys. Lett. 109, 052101 (2016).

10）“Optical Gain Materials for High Energy Lasers and Laser Illuminators and Methods of Making and Using Same”, 美国发明专利，US12322921B2.（2025）.