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魏志鹏
  • 职 务:副主任

  • 职 称:教授 博士生导师

  • 通讯地址:吉林省长春市卫星路7186号科技大厦A座

  • 联系电话:0431-85583385

  • 邮政编码:130022

  • 电子邮件:zpweicust@126.com

okok

简历

1996/09-2000/06,吉林大学,物理系,学士

2002/09-2008/06,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,凝聚态物理,博士

2008/06-2010/01,新加坡南洋理工大学,博士后

研究领域

半导体光电子材料与器件

学术兼职

中国仪器仪表学会测量与控制专业委员会常务委员

中国物理学会发光分会委员

《中国光学》第一届青年编辑委员会委员

主要荣誉

 2007年中科院院长优秀奖;

2009年长白科技青年奖特优奖;

2010年中国仪器仪表学会奖;

2012年吉林省第三批拔尖创新人才称号;

2013年吉林省高校新世纪优秀人才称号;

2015年吉林省第五批拔尖创新人才称号。

科研获奖

 获得吉林省科技进步一等奖1项,三等奖4项;国防科学技术进步一等奖1项;吉林省自然科学学术成果二等奖1项,三等奖3项。

 

科研情况:

从事半导体光电子材料与器件研究工作,创建束缚态调控的光电子器件理论模型,实现束缚态载流子增强型ZnO发光与探测器件,成果处于国际先进水平,获美国科技媒体Vertical News专题报道;提出V族元素混合束流方案,解决四元合金组分精确控制难题,实现室温工作百毫瓦连续输出GaSbI型量子阱激光器。授权国家发明专利4项。主持国家自然科学基金3项、总装备部预研基金4项和省部级项目11项。

代表论著

第一作者及通讯作者发表论文30余篇,其中在ACS NanoACS AMIAPL等国际知名学术期刊发表SCI检索论文20余篇,单篇最高引用128次,以下为具有代表性的SCI检索论文。

1. Room temperature p-n ZnO blue-violet light-emitting diodes, Applied Physics Letters, 2007, 90(4):042113.(第一作者,影响因子3.411,被引用128)

2. Formation of p-type MgZnO by nitrogen doping, Applied Physics Letters, 2006, 89(10):102104.(第一作者,影响因子3.411,被引用55)

3. A Template and Catalyst-Free Metal-Etching-Oxidation Method to Synthesize Aligned Oxide Nanowire Arrays:NiO as an Example, ACS Nano, 2010, 4(8):4785-4791.(第一作者,影响因子13.942,被引用27)

4. Ultraviolet light emission and excitonic fine structures in ultrathin single-crystalline indium oxide nanowires, Applied Physics Letters, 2010, 96(3):031902.(第一作者,影响因子3.411,被引用23)

5. Influence of Exciton Localization on the Emission and Ultraviolet Photoresponse of ZnO/ZnS CoreShell Nanowires, ACS Applied Materials & Interfaces, 2015, 7(19):10331-10336.(通讯作者,影响因子7.504,被引用13)

6. Ultraviolet Electroluminescence from ZnS@ZnO Core-Shell Nanowires/p-GaN Introduced by Exciton Localization, ACS Applied Materials & Interfaces, 2016, 8(3):1661-1666.(通讯作者,影响因子7.504,被引用4)

7. Investigation of Localized States in GaAsSb Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy, Scientific Reports, 2016, 6:29112.(通讯作者,影响因子4.259,被引用3)

8. Localized states emission in type-I GaAsSb/AlGaAs multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy, Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2017, 11(3):1-5.(通讯作者,影响因子3.032)

9  Effect of rapid thermal annealing on the optical properties of GaAsSb alloys, Optical Materials Express, 2017, 7(6):1971-1979.(通讯作者,影响因子2.591)

10 Investigation of localized and delocalized excitons in ZnO/ZnS core-shell

heterostructured nanowires, Nanophotonics, 2016, 1-8.(通讯作者,影响因子3.114)

11. Effect of interface on luminescence properties in ZnO/MgZnO heterostructures, Journal of Luminescence, 2006, 119:551-555.(第一作者,影响因子2.686,被引用9)

12. Photoluminescence and acceptor level state of p-type nitrogen-doped MgZnO films, Journal of Material Research, 2007, 22(10):2791-2795.(第一作者,影响因子1.673, 被引用5)

13. Fabrication of Nitrogen Doped p-ZnO and ZnO Light-Emitting Diodes on Sapphire, Journal of the Korean Physical Society, 2008, 53(5):3038-3042.(第一作者,影响因子0.467, 被引用4)

14. Study on Surface Passivation Homogeneity of Gallium Antimonide using Photoluminescences, Integrated Ferroelectrics, 2012, 136(1):147-155.(通讯作者,影响因子0.457,被引用2)

15. Tailoring the photoluminescence characteristics of p-type GaSb:The role of surface chemical passivation, Chemical Physics Letters, 2013, 556:182-187.(通讯作者,影响因子1.815,被引用9)

16. Periodic Nanostructures and Optical Properties of InP Induced by Femtosecond Laser Pulses, Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2013, 5(12):1274-1277. (通讯作者,影响因子1.889,被引用3)

17. Surface state and optical properties of sulfur passivated InP, Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 17:33-37.(通讯作者,影响因子2.359,被引用4)

18. InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法, 物理学报, 2014, 63(24):248102-248102.(通讯作者,影响因子0.624)

19. Optical Properties of Arsenic-Doped MgZnO Films Treated by Thermal Annealing, Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2015, 7(10):817-821.(通讯作者,影响因子1.889)

20. Band alignment at a MgO/GaSb heterointerface using x-ray photoelectron spectroscopy measurements, Materials Research Express, 2016, 3(7):076402.(通讯作者,影响因子1.068)

指导研究生情况

2008-2017年,王大珩光学奖1人,国家奖学金7人,吉林省优秀硕士毕业论文2人。

 

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