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“国际高功率激光技术发展及应用研讨会”在成都召开
 

由我实验室承办的“国际高功率激光技术发展及应用研讨会”,41518日在成都召开。本领域200多位国内外专家参与本次会议,会议主题是加强半导体激光器相关研究及产业的交流与合作 阐述半导体激光器领域最新研究进展及成果。实验室副主任马晓辉研究员代表会议主办方在开幕式上致辞,我实验室共有11名师生参加了本次研讨会。结合本实验室研究重点和特色,曲轶研究员\魏志鹏副研究员、应大会的邀请分别做了“锑化物半导体激光器研究进展”和“高功率905nm隧道结窄脉冲半导体激光器组件”的特邀报告。本次会议对我实验室整体研究水平、开拓产业化市场和国际合作方面都起到了积极作用。

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