职 务：实验室副主任

职 称： 教授

研究方向：半导体光电子器件

通讯地址：吉林省长春市卫星路7186号科技大厦A座205

邮政编码：130022

 

教育及工作经历：

1996.09-2000.07 吉林大学物理专业

2000.07-2011.07 长春理工大学 教师（2002.09-2008.07 中科院长春光机与物理所凝聚态物理专业硕博连读，2008.07获理学博士学位）

2011.07-2013.04 长春理工大学高功率半导体激光国家级重点实验室基础材料研究室副主任

2013.04-2014.01 长春理工大学高功率半导体激光国家级重点实验室半导体材料研究室副主任

2014.01- 至今 长春理工大学高功率半导体激光国家级重点实验室副主任，吉林省半导体激光技术工程研究中心副主任（兼）

 

奖励与荣誉称号

2018年获得吉林省青年科技奖；2015年入选吉林省第五批拔尖创新人才第三层次人选；2013年被评为吉林省高校新世纪科学技术优秀人才；2012年入选吉林省第三批拔尖创新人才第三层次人选；获“国防科学技术进步奖”1项。吉林省科学技术奖自然科学奖1项；吉林省科学技术进步奖1项；吉林省科学技术奖4项；吉林省自然科学学术成果奖5项。

 

科研工作

近年来承担国家自然科学基金、总装备重点基金、总装备部预研基金及省部级科研项目20余项，省部级项目11项，国家发明专利5项。

 

通讯作者代表性论文：

在ACS Nano，ACS AMI，APL等国际知名期刊发表论文60余篇，他人引用1000余次

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   1.Linear and nonlinear optical characteristics of all inorganic perovskite CsPbBr3 quantum dots modified by hydrophobic zeolites,Nanoscale, 2018.10.22766–22774,(一区，通讯，影响因子6.97)

   
   

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   2.Investigation of localized and delocalized excitons in ZnO/ZnS core-shell heterostructured nanowires，Nanophotonics,2017.6(5).1093–1100,(一区，通讯，影响因子6.908)

   
   

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   3.Ultraviolet Electroluminescence from ZnS@ZnO Core？Shell Nanowires/p-GaN Introduced by Exciton Localization, Acs Applied Materials and Interfaces, 2016.8.1661？1666,(一区，通讯，影响因子8.456)

   
   

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   4.Influence of Exciton Localization on the Emission and Ultraviolet Photoresponse of ZnO/ZnS Core？Shell Nanowires, Acs Applied Materials and Interfaces, 2015.7.10331？10336,(一区，通讯，影响因子8.456)

   
   

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    5.Effect of Post Thermal Annealing on the Optical Properties of InP/ZnS Quantum Dot Films, Nanoscal Research Letters,2018.13:369.1-8,(二区，通讯，影响因子3.159)

    
    

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    6.Enhancement of a Cu2O/ZnO photodetector via surface plasmon resonance induced by Ag nanoparticles,

    
    

Optical Materials Express, 2018.11.8.3561-3567,(二区，通讯，影响因子2.673)

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   1.Oxidization of Al0.5Ga0.5As(001) surface: The electronic properties, Applied Surface Science, 2018.436.460–466,(二区，通讯，影响因子5.155)

   
   

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   2.Analysis of the influence and mechanism of sulfur passivation on the dark current of a single GaAs nanowire photodetector, Nanotechnology, 2018.29.095201(1-6),(二区，通讯，影响因子3.399)

   
   

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   3.Effect of rapid thermal annealing on the optical properties of GaAsSb alloys, Optical Materials Express, 2017. 7(6):1971-1979,(二区，通讯，影响因子2.673)

   
   

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   4.Localized states emission in type-I GaAsSb/AlGaAs multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy, Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2017.11(3):1-5,(二区，通讯，影响因子3.729)