用户登录   |   收藏本站   |   设为首页
首      页 实验室简介新闻动态研究队伍组织机构科研工作仪器设备学术交流研究生培养

实验室简介

+  首页   >   实验室简介 > 实验室概况

高功率半导体激光国家重点实验室简介

 实验室于1994年由国家批准建设,1996年建成并通过验收,1997年正式开放运行。现有固定人员32人,研究人员31人,其中具有博士学位研究人员23人,现任实验室学术委员会主任由中国科学院院士王立军研究员担任。

实验室以高功率半导体激光器物理、工艺技术和应用基础研究为研究重点,注重激光器新材料、新器件、新工艺的探索研究,是我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。

实验室现有MBEMOCVD等先进的半导体材料外延生长设备SEM、XRD、PL等完善的材料分析检测手段,电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备,设备资产过亿元,为光电子领域的相关研究提供了良好的条件支撑。  

实验室的长期发展目标是:主要研究方向达到国际先进水平,聚集和培养创新型领军人才和学术带头人,跨入世界一流实验室行列,为国家科学技术发展、经济建设和社会发展做出应有的贡献。




    
版权所有:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 通信地址:长春市卫星路7186号科技大厦A209 邮编:130022 电话:0431-85582473

+ 网站制作 By 联合信息