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等离子体增强化学气相沉积系统

仪器名称:等离子体增强化学气相沉积系统

仪器编号:(SI500,德国SENTECH),[2A]

仪器简介:

用途:
主要用于在III-V族材料基底上沉积介质膜、如SiO2、SiNx等
主要技术参数:
1底电极温度范围+20°C ~ +350°C,温度控制精度优于±2°C。
2射频发生器,频率13.56MHz,功率≧500W。
3基础真空:< 1 × 10-5 mbar
4七路工艺气体:SiH4,N2O,O2,CF4,Ar,N2,NH3
5工艺程序自动运行,也可人工干预,手动进行参数设置和程序进程控制。

参考工艺结果:
(1)SiO2沉积:
最大厚度: 500 nm,沉积速率:≥10-20nm/min,温度:室温-300℃
(2)氮化硅沉积:
最大厚度:> 3 µm,沉积速率:9 nm-40 nm/min,温度:室温-350℃

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