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感应耦合等离子体刻蚀

仪器名称:感应耦合等离子体刻蚀

仪器编号:(SI500,德国SENTECH),[2A]

仪器简介:

用途:
SI500型感应耦合等离子(ICP)刻蚀系统可用于广泛的等离子刻蚀加工,其范围从普通的反应离子刻蚀(RIE)到高密度的刻蚀加工,尤其适用于III-V和 II-VI族的半导体材料的刻蚀。典型应用于InP,GaAs, AlGaAs, GaN, SiC和相关化合物的刻蚀。其突出特性为平面感应耦合等离子(ICP)源、氦气背面冷却式基板电极和高导率的真空系统。系统的重要参数全部为自动控制。
主要技术参数:
1、激励电源:13.56MHz 1500W;
2、偏压电源:500W;
3、真空系统:620升/秒分子泵、8升/秒机械泵各1台。
4、反应室尺寸:Ф300mm
5、气路系统:9路工艺气体 CH4, H2, SF6, O2, Ar, N2, Cl2, BCl3, HBr
6、可加工片子尺寸:Ф150mm以内。
7、均匀性:±5%  (4英寸硅片内)
参考工艺结果:
(1)刻蚀出线宽为 0.13µm 陡直的 SiO2 窗口图形。
(2)刻蚀出线宽为 0.15µm 陡直的 Si 窗口图形。
(3)Si的快速 (非陡直) 刻蚀可达 3µm/min 以上。
(4)刻蚀出厚度为 12µm 陡直的 SiO2 图形
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